K4RAH165VB-BIWM vs K4RAH165VB-BCQK So sánh

So sánh chi tiết song song của K4RAH165VB-BIWM bằng Samsung Electronics và K4RAH165VB-BCQK bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K4RAH165VB-BIWM K4RAH165VB-BIWM - 16Gb DDR5 1Gx16 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIWM - 16Gb DDR5 1Gx16 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIWM ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K4RAH165VB-BIWM K4RAH165VB-BCQK
Thương hiệu Samsung Electronics Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb —
Tổ chức 1G x 16 —
Tốc độ dữ liệu 5600 Mbps 4800 Mbps
Điện áp cung cấp 1.1 V —
Hộp 106-ball FBGA 106-ball FBGA
Nhiệt độ hoạt động 0C to +85C 0C to +85C
On-Die ECC Yes (per K4RAH165VB family datasheet) —
Self Refresh Auto self-refresh —
Reset Function Asynchronous reset —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes —
DLL DLL enabled mode of operation (per datasheet) —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Standard Packaging 1000 units —
Trạng thái RoHS Compliant (per JLCPCB listing for K4RAH165VB-BCWM, same family) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Kích thước bộ nhớ — 16 Gb
Memory Organization — 1G x 16
Memory Interface — Parallel
Supply Voltage (VDD) — 1.1 V
Error Correction — On-die ECC
Tính năng — Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration
Memory Format — DRAM (volatile)
Packaging — Tray
Trạng thái vòng đời — Active
Unit Price — [DATA_NEEDED: unit price]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá