K4RAH165VB-BIWM vs K4RAH165VB-BCQK مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار K4RAH165VB-BIWM توسط Samsung Electronics و K4RAH165VB-BCQK توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Samsung Electronics
K4RAH165VB-BIWM K4RAH165VB-BIWM - 16Gb DDR5 1Gx16 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIWM - 16Gb DDR5 1Gx16 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIWM ✓ فعال
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر K4RAH165VB-BIWM K4RAH165VB-BCQK
برند Samsung Electronics Samsung Electronics
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb —
سازمان 1G x 16 —
نرخ داده 5600 Mbps 4800 Mbps
ولتاژ تغذیه 1.1 V —
بسته‌بندی 106-ball FBGA 106-ball FBGA
دمای کاری 0C to +85C 0C to +85C
On-Die ECC Yes (per K4RAH165VB family datasheet) —
Self Refresh Auto self-refresh —
Reset Function Asynchronous reset —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes —
DLL DLL enabled mode of operation (per datasheet) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Standard Packaging 1000 units —
وضعیت RoHS Compliant (per JLCPCB listing for K4RAH165VB-BCWM, same family) [DATA_NEEDED: RoHS status]
اندازه حافظه — 16 Gb
Memory Organization — 1G x 16
Memory Interface — Parallel
Supply Voltage (VDD) — 1.1 V
Error Correction — On-die ECC
ویژگی‌ها — Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration
Memory Format — DRAM (volatile)
Packaging — Tray
وضعیت چرخه عمر — Active
Unit Price — [DATA_NEEDED: unit price]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت