K4S561633FZN75 vs K4S561633F-ZL75 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4S561633FZN75 द्वारा Samsung Electronics और K4S561633F-ZL75 द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Samsung Electronics
K4S561633F-ZL75 K4S561633F-ZL75 - 256Mb Mobile SDRAM, 4x16Mx16, 133MHz, 54-BGA

K4S561633F-ZL75 - 256Mb Mobile SDRAM, 4x16Mx16, 133MHz, 54-BGA

K4S561633F-ZL75 Nrnd

विशेषता तुलना

पैरामीटर K4S561633FZN75 K4S561633F-ZL75
ब्रांड Samsung Electronics Samsung Electronics
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति NRND NRND
मेमोरी प्रकार Mobile SDRAM (Synchronous DRAM) Synchronous DRAM (Mobile SDRAM)
Density 256 Mbit (268,435,456 bits) 256 Mbit (268,435,456 bits)
संगठन 4 banks x 4,196,304 words x 16 bits 4 banks x 4,196,304 words x 16 bits (4M x 16 x 4 banks)
Clock Frequency 133 MHz —
डेटा दर PC133 (SDRAM) —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 3.0 V (typ); 2.7 V-3.3 V range —
इंटरफ़ेस LVCMOS —
CAS लेटेंसी Programmable, 2 or 3 Programmable, 2 or 3
Burst Length 1, 2, 4, 8, full page (programmable) 1, 2, 4, 8, Full Page
पैकेज 54-ball FBGA (54BOC) 54-ball FBGA (54-BOC) / TFBGA
ऑपरेटिंग तापमान Commercial grade (per -ZN75 suffix) [DATA_NEEDED: operating temperature grade]
Process Technology Samsung high-performance CMOS —
Refresh Auto-Refresh and Self-Refresh —
Power Modes Power-Down mode, Partial Array Self-Refresh (PASR) —
Lead-Free / RoHS Pb-free (lead-free) - per '-ZN' suffix —
Bank Architecture 4 internal banks —
Row Address A0-A12 (13-bit) —
Data Width x16 (DQ0-DQ15) —
Operating Frequency (max) — 133 MHz
Clock Access Time — 5.4 ns
Speed Grade — ZL75 (7.5 ns / CAS Latency 3, 133 MHz)
Supply Voltage (VDD) — 3.3 V
I/O Standard — LVCMOS-compatible
Number of Banks — 4
Burst Type — Sequential or Interleave
माउंटिंग प्रकार — Surface Mount
RoHS / Lead-Free — Pb-Free (per -L75 suffix)

डेटाशीट और संसाधन

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