K4S561633FZN75 vs K4S561633F-ZL75 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של K4S561633FZN75 מאת Samsung Electronics ו K4S561633F-ZL75 מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Samsung Electronics
K4S561633F-ZL75 K4S561633F-ZL75 - 256Mb Mobile SDRAM, 4x16Mx16, 133MHz, 54-BGA

K4S561633F-ZL75 - 256Mb Mobile SDRAM, 4x16Mx16, 133MHz, 54-BGA

K4S561633F-ZL75 Nrnd

השוואת מפרטים

פרמטר K4S561633FZN75 K4S561633F-ZL75
מותג Samsung Electronics Samsung Electronics
קטגוריה Memory ICs Memory ICs
סטטוס מחזור חיים NRND NRND
סוג זיכרון Mobile SDRAM (Synchronous DRAM) Synchronous DRAM (Mobile SDRAM)
Density 256 Mbit (268,435,456 bits) 256 Mbit (268,435,456 bits)
ארגון 4 banks x 4,196,304 words x 16 bits 4 banks x 4,196,304 words x 16 bits (4M x 16 x 4 banks)
Clock Frequency 133 MHz —
קצב נתונים PC133 (SDRAM) —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 3.0 V (typ); 2.7 V-3.3 V range —
ממשק LVCMOS —
השהיית CAS Programmable, 2 or 3 Programmable, 2 or 3
Burst Length 1, 2, 4, 8, full page (programmable) 1, 2, 4, 8, Full Page
מארז 54-ball FBGA (54BOC) 54-ball FBGA (54-BOC) / TFBGA
טמפרטורת פעולה Commercial grade (per -ZN75 suffix) [DATA_NEEDED: operating temperature grade]
Process Technology Samsung high-performance CMOS —
Refresh Auto-Refresh and Self-Refresh —
Power Modes Power-Down mode, Partial Array Self-Refresh (PASR) —
Lead-Free / RoHS Pb-free (lead-free) - per '-ZN' suffix —
Bank Architecture 4 internal banks —
Row Address A0-A12 (13-bit) —
Data Width x16 (DQ0-DQ15) —
Operating Frequency (max) — 133 MHz
Clock Access Time — 5.4 ns
Speed Grade — ZL75 (7.5 ns / CAS Latency 3, 133 MHz)
Supply Voltage (VDD) — 3.3 V
I/O Standard — LVCMOS-compatible
Number of Banks — 4
Burst Type — Sequential or Interleave
סוג הרכבה — Surface Mount
RoHS / Lead-Free — Pb-Free (per -L75 suffix)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר