K4S561633FZN75 vs K4S561633F-ZL75 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4S561633FZN75 بذریعہ Samsung Electronics اور K4S561633F-ZL75 بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4S561633F-ZL75 K4S561633F-ZL75 - 256Mb Mobile SDRAM, 4x16Mx16, 133MHz, 54-BGA

K4S561633F-ZL75 - 256Mb Mobile SDRAM, 4x16Mx16, 133MHz, 54-BGA

K4S561633F-ZL75 Nrnd

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4S561633FZN75 K4S561633F-ZL75
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت NRND NRND
میموری ٹائپ Mobile SDRAM (Synchronous DRAM) Synchronous DRAM (Mobile SDRAM)
Density 256 Mbit (268,435,456 bits) 256 Mbit (268,435,456 bits)
تنظیم 4 banks x 4,196,304 words x 16 bits 4 banks x 4,196,304 words x 16 bits (4M x 16 x 4 banks)
Clock Frequency 133 MHz —
ڈیٹا ریٹ PC133 (SDRAM) —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 3.0 V (typ); 2.7 V-3.3 V range —
انٹرفیس LVCMOS —
CAS لیٹنسی Programmable, 2 or 3 Programmable, 2 or 3
Burst Length 1, 2, 4, 8, full page (programmable) 1, 2, 4, 8, Full Page
پیکیج 54-ball FBGA (54BOC) 54-ball FBGA (54-BOC) / TFBGA
آپریٹنگ درجہ حرارت Commercial grade (per -ZN75 suffix) [DATA_NEEDED: operating temperature grade]
Process Technology Samsung high-performance CMOS —
Refresh Auto-Refresh and Self-Refresh —
Power Modes Power-Down mode, Partial Array Self-Refresh (PASR) —
Lead-Free / RoHS Pb-free (lead-free) - per '-ZN' suffix —
Bank Architecture 4 internal banks —
Row Address A0-A12 (13-bit) —
Data Width x16 (DQ0-DQ15) —
Operating Frequency (max) — 133 MHz
Clock Access Time — 5.4 ns
Speed Grade — ZL75 (7.5 ns / CAS Latency 3, 133 MHz)
Supply Voltage (VDD) — 3.3 V
I/O Standard — LVCMOS-compatible
Number of Banks — 4
Burst Type — Sequential or Interleave
ماؤنٹنگ ٹائپ — Surface Mount
RoHS / Lead-Free — Pb-Free (per -L75 suffix)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں