K6T0808C1D-DB55 vs K6T0808C1D-DB70 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K6T0808C1D-DB55 द्वारा Samsung Electronics और K6T0808C1D-DB70 द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K6T0808C1D-DB70 - 256Kbit (32Kx8) CMOS SRAM 70ns DIP-28 | Samsung
K6T0808C1D-DB70 ⚠ अंतिम खरीदविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K6T0808C1D-DB55 | K6T0808C1D-DB70 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | Obsolete | अंतिम बार खरीदें |
| Density | 256 Kbit (32K x 8) | 256 Kbit (32,768 bytes) |
| मेमोरी प्रकार | Asynchronous Static RAM (SRAM) | Volatile SRAM (Static RAM) |
| संगठन | 32,768 words x 8 bits | — |
| Access Time (tAA) | 70 ns (max) | 70 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V (typical; 4.5 V min per SRAM class) | 4.5 V to 5.5 V |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40 C to +85 C (industrial) | 0C to +70C (commercial) |
| पैकेज | 28-pin TSOP1F (Type I, forward) | DIP-28 (600 mil, 'DB' code) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Through-Hole |
| Process Technology | Samsung advanced CMOS | CMOS (6T cell) |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: typical ISB1 in uA] | — |
| Operating Current | [DATA_NEEDED: typical ICC in mA] | — |
| आउटपुट प्रकार | Three-state, bidirectional DQs | — |
| I/O Logic Level | TTL-compatible | — |
| Data Retention Voltage | [DATA_NEEDED: VDR minimum in V] | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL classification] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: verify on Samsung product page] | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] |
| Lead-Free | [DATA_NEEDED: confirm] | — |
| Memory Organization | — | 32K x 8 = 256 Kbit |
| Operating Current (ICC) | — | 60 mA (typical) |
| Standby Current (ISB1) | — | 15 uA (typical) |
| इंटरफ़ेस | — | Parallel, asynchronous, TTL-compatible |
| Output Enable (OE) | — | Yes (active-low) |
| Write Enable (WE) | — | Yes (active-low) |
| Chip Enable | — | CE1 (active-low), CE2 (active-high) |
| डेटा बस चौड़ाई | — | 8 bits |