K6T0808C1D-DB55 vs K6T0808C1D-DB70 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K6T0808C1D-DB55 بذریعہ Samsung Electronics اور K6T0808C1D-DB70 بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K6T0808C1D-DB55 K6T0808C1D-DB55 - 32Kx8 Low Power CMOS SRAM | Samsung

K6T0808C1D-DB55 - 32Kx8 Low Power CMOS SRAM | Samsung

K6T0808C1D-DB55 Obsolete
Samsung Electronics
K6T0808C1D-DB70 K6T0808C1D-DB70 - 256Kbit (32Kx8) CMOS SRAM 70ns DIP-28 | Samsung

K6T0808C1D-DB70 - 256Kbit (32Kx8) CMOS SRAM 70ns DIP-28 | Samsung

K6T0808C1D-DB70 ⚠ آخری بار خریداری

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K6T0808C1D-DB55 K6T0808C1D-DB70
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت Obsolete آخری بار خریداری
Density 256 Kbit (32K x 8) 256 Kbit (32,768 bytes)
میموری ٹائپ Asynchronous Static RAM (SRAM) Volatile SRAM (Static RAM)
تنظیم 32,768 words x 8 bits —
Access Time (tAA) 70 ns (max) 70 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V (typical; 4.5 V min per SRAM class) 4.5 V to 5.5 V
آپریٹنگ درجہ حرارت -40 C to +85 C (industrial) 0C to +70C (commercial)
پیکیج 28-pin TSOP1F (Type I, forward) DIP-28 (600 mil, 'DB' code)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Through-Hole
Process Technology Samsung advanced CMOS CMOS (6T cell)
Standby Current [DATA_NEEDED: typical ISB1 in uA] —
Operating Current [DATA_NEEDED: typical ICC in mA] —
آؤٹ پٹ کی قسم Three-state, bidirectional DQs —
I/O Logic Level TTL-compatible —
Data Retention Voltage [DATA_NEEDED: VDR minimum in V] —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL classification] [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: verify on Samsung product page] [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
Lead-Free [DATA_NEEDED: confirm] —
Memory Organization — 32K x 8 = 256 Kbit
Operating Current (ICC) — 60 mA (typical)
Standby Current (ISB1) — 15 uA (typical)
انٹرفیس — Parallel, asynchronous, TTL-compatible
Output Enable (OE) — Yes (active-low)
Write Enable (WE) — Yes (active-low)
Chip Enable — CE1 (active-low), CE2 (active-high)
ڈیٹا بس چوڑائی — 8 bits

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں