K6T0808C1D-DB55 vs K6T0808C1D-DB70 So sánh

So sánh chi tiết song song của K6T0808C1D-DB55 bằng Samsung Electronics và K6T0808C1D-DB70 bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K6T0808C1D-DB55 K6T0808C1D-DB55 - 32Kx8 Low Power CMOS SRAM | Samsung

K6T0808C1D-DB55 - 32Kx8 Low Power CMOS SRAM | Samsung

K6T0808C1D-DB55 Obsolete
Samsung Electronics
K6T0808C1D-DB70 K6T0808C1D-DB70 - 256Kbit (32Kx8) CMOS SRAM 70ns DIP-28 | Samsung

K6T0808C1D-DB70 - 256Kbit (32Kx8) CMOS SRAM 70ns DIP-28 | Samsung

K6T0808C1D-DB70 ⚠ Lần mua cuối

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K6T0808C1D-DB55 K6T0808C1D-DB70
Thương hiệu Samsung Electronics Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Obsolete Lần mua cuối
Density 256 Kbit (32K x 8) 256 Kbit (32,768 bytes)
Kiểu bộ nhớ Asynchronous Static RAM (SRAM) Volatile SRAM (Static RAM)
Tổ chức 32,768 words x 8 bits —
Access Time (tAA) 70 ns (max) 70 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V (typical; 4.5 V min per SRAM class) 4.5 V to 5.5 V
Nhiệt độ hoạt động -40 C to +85 C (industrial) 0C to +70C (commercial)
Hộp 28-pin TSOP1F (Type I, forward) DIP-28 (600 mil, 'DB' code)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Through-Hole
Process Technology Samsung advanced CMOS CMOS (6T cell)
Standby Current [DATA_NEEDED: typical ISB1 in uA] —
Operating Current [DATA_NEEDED: typical ICC in mA] —
Kiểu đầu ra Three-state, bidirectional DQs —
I/O Logic Level TTL-compatible —
Data Retention Voltage [DATA_NEEDED: VDR minimum in V] —
Cấp MSL [DATA_NEEDED: MSL classification] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Trạng thái RoHS [DATA_NEEDED: verify on Samsung product page] [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
Lead-Free [DATA_NEEDED: confirm] —
Memory Organization — 32K x 8 = 256 Kbit
Operating Current (ICC) — 60 mA (typical)
Standby Current (ISB1) — 15 uA (typical)
Giao diện — Parallel, asynchronous, TTL-compatible
Output Enable (OE) — Yes (active-low)
Write Enable (WE) — Yes (active-low)
Chip Enable — CE1 (active-low), CE2 (active-high)
Bề rộng đường dữ liệu — 8 bits

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá