M29F200FB55N3E2 vs M29F200FB55N3F2 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29F200FB55N3E2 द्वारा Micron Technology और M29F200FB55N3F2 द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
M29F200FB55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron
M29F200FB55N3E2 ✗ जीवन की समाप्तिMicron Technology
M29F200FB55N3F2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron
M29F200FB55N3F2 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | M29F200FB55N3E2 | M29F200FB55N3F2 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Micron Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | उत्पादन बंद | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | NOR Flash, Parallel | Parallel NOR Flash |
| Density | 2 Mbit (2097 kbits) | 2 Mbit (2097 kbits) |
| संगठन | 256K x 8 / 128K x 16 | 256K x 8 bit / 128K x 16 bit |
| Number of Words | 128 K | 128 K (x16 mode) |
| Bits per Word | 16 bits | 16 bits |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V | 5 V |
| Boot Block Architecture | Bottom Boot Block | Bottom Boot Block (FB) |
| इंटरफ़ेस | Parallel, 8/16-bit selectable | Parallel |
| Program/Erase Controller | Embedded byte/word program algorithms | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Package Type | 48-pin TSOP I | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Cell Type | SLC NOR | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] |
| Packaging | Tray | Tape & Reel (TR) |
| Programming | — | Embedded byte/word program algorithm |
| Erase | — | Embedded block erase controller |
| पैकेज | — | 48-TSOP I |
| Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |