M29F200FB55N3E2 vs M29F200FB55N3F2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29F200FB55N3E2 tarafından Micron Technology ve M29F200FB55N3F2 tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
M29F200FB55N3E2 M29F200FB55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron

M29F200FB55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron

M29F200FB55N3E2 ✗ Son Kullanım Zamanı
Micron Technology
M29F200FB55N3F2 M29F200FB55N3F2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29F200FB55N3F2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29F200FB55N3F2 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre M29F200FB55N3E2 M29F200FB55N3F2
Marka Micron Technology Micron Technology
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Hayat Dönemi Sonu Aktif
Bellek Türü NOR Flash, Parallel Parallel NOR Flash
Density 2 Mbit (2097 kbits) 2 Mbit (2097 kbits)
Organizasyon 256K x 8 / 128K x 16 256K x 8 bit / 128K x 16 bit
Number of Words 128 K 128 K (x16 mode)
Bits per Word 16 bits 16 bits
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V 5 V
Boot Block Architecture Bottom Boot Block Bottom Boot Block (FB)
Arayüz Parallel, 8/16-bit selectable Parallel
Program/Erase Controller Embedded byte/word program algorithms —
İşletim Sıcaklığı -40C to +125C -40C to +125C
Package Type 48-pin TSOP I —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Memory Cell Type SLC NOR —
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
Packaging Tray Tape & Reel (TR)
Programming — Embedded byte/word program algorithm
Erase — Embedded block erase controller
Paket — 48-TSOP I
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin