M29F200FB55N3E2 vs M29F200FB55N3F2 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של M29F200FB55N3E2 מאת Micron Technology ו M29F200FB55N3F2 מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Micron Technology
M29F200FB55N3E2 M29F200FB55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron

M29F200FB55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron

M29F200FB55N3E2 ✗ סוף ייצור
Micron Technology
M29F200FB55N3F2 M29F200FB55N3F2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29F200FB55N3F2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29F200FB55N3F2 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר M29F200FB55N3E2 M29F200FB55N3F2
מותג Micron Technology Micron Technology
קטגוריה Memory ICs Memory ICs
סטטוס מחזור חיים סוף חיים פעיל
סוג זיכרון NOR Flash, Parallel Parallel NOR Flash
Density 2 Mbit (2097 kbits) 2 Mbit (2097 kbits)
ארגון 256K x 8 / 128K x 16 256K x 8 bit / 128K x 16 bit
Number of Words 128 K 128 K (x16 mode)
Bits per Word 16 bits 16 bits
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V 5 V
Boot Block Architecture Bottom Boot Block Bottom Boot Block (FB)
ממשק Parallel, 8/16-bit selectable Parallel
Program/Erase Controller Embedded byte/word program algorithms —
טמפרטורת פעולה -40C to +125C -40C to +125C
Package Type 48-pin TSOP I —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Memory Cell Type SLC NOR —
סטטוס RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
Packaging Tray Tape & Reel (TR)
Programming — Embedded byte/word program algorithm
Erase — Embedded block erase controller
מארז — 48-TSOP I
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר