M29F200FB55N3E2 vs M29F200FB55N3F2 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار M29F200FB55N3E2 توسط Micron Technology و M29F200FB55N3F2 توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Micron Technology
M29F200FB55N3E2 M29F200FB55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron

M29F200FB55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron

M29F200FB55N3E2 ✗ پایان تولید
Micron Technology
M29F200FB55N3F2 M29F200FB55N3F2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29F200FB55N3F2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29F200FB55N3F2 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر M29F200FB55N3E2 M29F200FB55N3F2
برند Micron Technology Micron Technology
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر پایان عمر محصول فعال
نوع حافظه NOR Flash, Parallel Parallel NOR Flash
Density 2 Mbit (2097 kbits) 2 Mbit (2097 kbits)
سازمان 256K x 8 / 128K x 16 256K x 8 bit / 128K x 16 bit
Number of Words 128 K 128 K (x16 mode)
Bits per Word 16 bits 16 bits
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V 5 V
Boot Block Architecture Bottom Boot Block Bottom Boot Block (FB)
رابط Parallel, 8/16-bit selectable Parallel
Program/Erase Controller Embedded byte/word program algorithms —
دمای کاری -40C to +125C -40C to +125C
Package Type 48-pin TSOP I —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Memory Cell Type SLC NOR —
وضعیت RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
Packaging Tray Tape & Reel (TR)
Programming — Embedded byte/word program algorithm
Erase — Embedded block erase controller
بسته‌بندی — 48-TSOP I
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت