M29F800FB55N3F2 vs M29F160FB55N3F2 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29F800FB55N3F2 द्वारा Micron Technology और M29F160FB55N3F2 द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
M29F800FB55N3F2 M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 ✓ सक्रिय
Micron Technology
M29F160FB55N3F2 M29F160FB55N3F2 - 16Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F160FB55N3F2 - 16Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F160FB55N3F2 Obsolete

विशेषता तुलना

पैरामीटर M29F800FB55N3F2 M29F160FB55N3F2
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय Obsolete
Memory Density 8389 kbits (8 Mbit) —
संगठन 1M x 8 / 512K x 16 1 Mword x 16 bits / 2 Mbyte x 8 bits
सप्लाई वोल्टेज 5 V 5 V
Access Time 55 ns 55 ns
इंटरफ़ेस प्रकार Parallel NOR —
Boot Block Architecture Bottom Boot Block Bottom Boot Block
Program/Erase Controller Embedded byte/word program algorithms Embedded byte/word program algorithms
ऑपरेटिंग तापमान -40C to +125C -40 to +125 C
Temperature Grade Automotive (AEC-Q100) —
Package Type 48-pin TSOP1 48-TSOP
Package Shape Rectangular (JESD designation TSOP1) —
Terminal Count 48 —
JESD-609 Termination Code e3 (lead-free) —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (T/R) —
RoHS स्थिति Compliant (lead-free terminations) Compliant (lead-free)
मेमोरी प्रकार — Parallel NOR Flash
Density — 16777 kbits (16 Mbit)
Number of Words — 1000 k
Bits per Word — 16 bits
इंटरफ़ेस — Parallel
Termination Finish — Lead-free (F2 suffix)
Block Protection — Hardware boot block protection
Speed Grade (from MPN) — 55 (55 ns)

डेटाशीट और संसाधन

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