M29F800FB55N3F2 vs M29F160FB55N3F2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29F800FB55N3F2 tarafından Micron Technology ve M29F160FB55N3F2 tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
M29F800FB55N3F2 M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 ✓ Aktif
Micron Technology
M29F160FB55N3F2 M29F160FB55N3F2 - 16Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F160FB55N3F2 - 16Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F160FB55N3F2 Obsolete

Özellik Karşılaştırması

Parametre M29F800FB55N3F2 M29F160FB55N3F2
Marka Micron Technology Micron Technology
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Obsolete
Memory Density 8389 kbits (8 Mbit) —
Organizasyon 1M x 8 / 512K x 16 1 Mword x 16 bits / 2 Mbyte x 8 bits
Besleme Gerilimi 5 V 5 V
Access Time 55 ns 55 ns
Arayüz Türü Parallel NOR —
Boot Block Architecture Bottom Boot Block Bottom Boot Block
Program/Erase Controller Embedded byte/word program algorithms Embedded byte/word program algorithms
İşletim Sıcaklığı -40C to +125C -40 to +125 C
Temperature Grade Automotive (AEC-Q100) —
Package Type 48-pin TSOP1 48-TSOP
Package Shape Rectangular (JESD designation TSOP1) —
Terminal Count 48 —
JESD-609 Termination Code e3 (lead-free) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (T/R) —
RoHS Durumu Compliant (lead-free terminations) Compliant (lead-free)
Bellek Türü — Parallel NOR Flash
Density — 16777 kbits (16 Mbit)
Number of Words — 1000 k
Bits per Word — 16 bits
Arayüz — Parallel
Termination Finish — Lead-free (F2 suffix)
Block Protection — Hardware boot block protection
Speed Grade (from MPN) — 55 (55 ns)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin