MMBF170LT1 vs 2N7002LT1G तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना MMBF170LT1 द्वारा onsemi और 2N7002LT1G द्वारा onsemi. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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MMBF170LT1 MMBF170LT1 - 60V 500mA N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

MMBF170LT1 - 60V 500mA N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

MMBF170LT1 ✓ सक्रिय
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2N7002LT1G 2N7002LT1G - 60V N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

2N7002LT1G - 60V N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

2N7002LT1G ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर MMBF170LT1 2N7002LT1G
ब्रांड onsemi onsemi
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer onsemi (ON Semiconductor) onsemi (ON Semiconductor)
Part Number MMBF170LT1 —
ट्रांज़िस्टर प्रकार N-Channel MOSFET, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDSS) 60 V —
Drain-Gate Voltage (VDGS) 60 Vdc —
Gate-Source Voltage - Continuous (VGS) ±20 Vdc (per datasheet) —
Gate-Source Voltage - Non-repetitive (VGSM) ±40 Vpk (tp <= 50 ms) —
Continuous Drain Current (ID) 500 mA (Ta) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] —
Total Device Dissipation (PD) 225 mW (Ta, FR-5 board) —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55 °C to +150 °C (TJ max per datasheet) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
पैकेज / केस SOT-23-3 (TO-236) —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
पिन काउंट 3 —
RoHS स्थिति Compliant (per onsemi product page) —
AEC-Q101 Qualified Yes (per datasheet) —
Technology DMOS MOSFET
Polarity N-Channel N-Channel
Channel Mode — Enhancement Mode
Drain-Source Voltage VDSS — 60 V
Continuous Drain Current ID — 115 mA (Tc)
Power Dissipation PD — 225 mW (Ta)
Maximum RDS(on) — 7.5 ohm @ VGS = 5 V
Configuration — Single FET
पैकेज — SOT-23-3 (TO-236)
पिन की संख्या — 3
श्रेणी — Small Signal MOSFET
Lead Finish — [DATA_NEEDED: lead finish/plating]
Packaging — [DATA_NEEDED: packaging type]

डेटाशीट और संसाधन

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