MMBF170LT1 vs 2N7002LT1G השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של MMBF170LT1 מאת onsemi ו 2N7002LT1G מאת onsemi. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

onsemi
2N7002LT1G 2N7002LT1G - 60V N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

2N7002LT1G - 60V N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

2N7002LT1G ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר MMBF170LT1 2N7002LT1G
מותג onsemi onsemi
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer onsemi (ON Semiconductor) onsemi (ON Semiconductor)
Part Number MMBF170LT1 —
סוג טרנזיסטור N-Channel MOSFET, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDSS) 60 V —
Drain-Gate Voltage (VDGS) 60 Vdc —
Gate-Source Voltage - Continuous (VGS) ±20 Vdc (per datasheet) —
Gate-Source Voltage - Non-repetitive (VGSM) ±40 Vpk (tp <= 50 ms) —
Continuous Drain Current (ID) 500 mA (Ta) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] —
Total Device Dissipation (PD) 225 mW (Ta, FR-5 board) —
טווח טמפרטורת פעולה -55 °C to +150 °C (TJ max per datasheet) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
מארז / Case SOT-23-3 (TO-236) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
מספר פינים 3 —
סטטוס RoHS Compliant (per onsemi product page) —
AEC-Q101 Qualified Yes (per datasheet) —
Technology DMOS MOSFET
Polarity N-Channel N-Channel
Channel Mode — Enhancement Mode
Drain-Source Voltage VDSS — 60 V
Continuous Drain Current ID — 115 mA (Tc)
Power Dissipation PD — 225 mW (Ta)
Maximum RDS(on) — 7.5 ohm @ VGS = 5 V
Configuration — Single FET
מארז — SOT-23-3 (TO-236)
מספר פינים — 3
קטגוריה — Small Signal MOSFET
Lead Finish — [DATA_NEEDED: lead finish/plating]
Packaging — [DATA_NEEDED: packaging type]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר