MT41K256M16MTW-107IT vs K4B4G1646E-BYK0 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT41K256M16MTW-107IT द्वारा Micron Technology और K4B4G1646E-BYK0 द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
MT41K256M16MTW-107IT - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K256M16MTW-107IT ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | MT41K256M16MTW-107IT | K4B4G1646E-BYK0 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| मेमोरी आकार | 4 Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Speed | 933 MHz | — |
| डेटा बस चौड़ाई | 16 bit | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35 V | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| Row Cycle Time (tRC) | 20 ns | — |
| CAS लेटेंसी | 13 | 11 (CL-tRCD-tRP) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -40°C to +95°C | — |
| पैकेज | 96-FBGA (8x14 mm) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel | — |
| Access Time | 0.195 ns | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Technology | CMOS | — |
| Density | — | 4 Gb |
| संगठन | — | 256M x 16 |
| डेटा दर | — | DDR3-1600 (800 MHz) |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | 0°C to +95°C (TC) |
| Burst Length | — | 8 (fixed), 4 (burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes (dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |