MT41K256M16MTW-107IT vs K4B4G1646E-BYK0 Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng MT41K256M16MTW-107IT sa pamamagitan ng Micron Technology at K4B4G1646E-BYK0 sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Micron Technology
MT41K256M16MTW-107IT - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K256M16MTW-107IT ✓ NakahandaPagsanggunian na paghahambing
| Parametro | MT41K256M16MTW-107IT | K4B4G1646E-BYK0 |
|---|---|---|
| Brand | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Uri ng Memory | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Laki ng Memory | 4 Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Speed | 933 MHz | — |
| Width ng Data Bus | 16 bit | — |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35 V | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| Row Cycle Time (tRC) | 20 ns | — |
| Latensya ng CAS | 13 | 11 (CL-tRCD-tRP) |
| Hanay ng Temperature na Operasyon | -40°C to +95°C | — |
| Packhaging | 96-FBGA (8x14 mm) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Uri ng Pagpapasok | Surface Mount | — |
| Interface | Parallel | — |
| Access Time | 0.195 ns | — |
| Tindminan RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Technology | CMOS | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Organisasyon | — | 256M x 16 |
| Rate ng Data | — | DDR3-1600 (800 MHz) |
| Temperature na Operasyon | — | 0°C to +95°C (TC) |
| Burst Length | — | 8 (fixed), 4 (burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes (dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |