MT41K256M16MTW-107IT vs K4B4G1646E-BYK0 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار MT41K256M16MTW-107IT توسط Micron Technology و K4B4G1646E-BYK0 توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Micron Technology
MT41K256M16MTW-107IT - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K256M16MTW-107IT ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | MT41K256M16MTW-107IT | K4B4G1646E-BYK0 |
|---|---|---|
| برند | Micron Technology | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| اندازه حافظه | 4 Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Speed | 933 MHz | — |
| عرض گذرگاه داده | 16 bit | — |
| ولتاژ تغذیه | 1.35 V | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| Row Cycle Time (tRC) | 20 ns | — |
| تأخیر CAS | 13 | 11 (CL-tRCD-tRP) |
| محدوده دمای کاری | -40°C to +95°C | — |
| بسته‌بندی | 96-FBGA (8x14 mm) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| نوع نصب | Surface Mount | — |
| رابط | Parallel | — |
| Access Time | 0.195 ns | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Technology | CMOS | — |
| Density | — | 4 Gb |
| سازمان | — | 256M x 16 |
| نرخ داده | — | DDR3-1600 (800 MHz) |
| دمای کاری | — | 0°C to +95°C (TC) |
| Burst Length | — | 8 (fixed), 4 (burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes (dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |