NDL46PFG-8KIT vs H5TC4G63AFR-PBA तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना NDL46PFG-8KIT द्वारा Insignis Technology Corporation और H5TC4G63AFR-PBA द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Insignis Technology Corporation
NDL46PFG-8KIT NDL46PFG-8KIT - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Insignis

NDL46PFG-8KIT - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Insignis

NDL46PFG-8KIT ✓ सक्रिय
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBA H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर NDL46PFG-8KIT H5TC4G63AFR-PBA
ब्रांड Insignis Technology Corporation SK hynix
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
यूनिट मूल्य (USD) — $3.98
मेमोरी प्रकार SDRAM - DDR3L DDR3L SDRAM
मेमोरी आकार 4Gbit (256M x 16) —
डेटा बस चौड़ाई 16 bit —
Clock Frequency 800 MHz —
डेटा दर 1600 Mbps 1866 Mbps (PC3L-14900)
CAS लेटेंसी 20 ns —
सप्लाई वोल्टेज 1.35V (1.5V compatible) —
ऑपरेटिंग तापमान 95°C (max) —
पैकेज 96-FBGA (7.5x13.5 mm) 96-ball FBGA
माउंटिंग प्रकार Surface Mount —
इंटरफ़ेस Parallel 16-bit I/O
Access Time 20 ns —
Burst Length 8 and 4 8 and 4 (with burst chop)
On-Die Termination Yes —
Refresh Mode Auto-refresh and self-refresh —
RoHS स्थिति Compliant —
Density — 4Gb
संगठन — 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V
Ball Pitch — 0.8mm
Number of Banks — 8
CAS Latency (CL) — 11, 12, 13
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — 0°C to +95°C (Tcase)
On-Die Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Partial Array Self-Refresh — Yes
RoHS — Compliant

डेटाशीट और संसाधन

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