NDL46PFG-8KIT vs H5TC4G63AFR-PBA Ikinahambing

Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng NDL46PFG-8KIT sa pamamagitan ng Insignis Technology Corporation at H5TC4G63AFR-PBA sa pamamagitan ng SK hynix. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.

Insignis Technology Corporation
NDL46PFG-8KIT NDL46PFG-8KIT - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Insignis

NDL46PFG-8KIT - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Insignis

NDL46PFG-8KIT ✓ Nakahanda
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBA H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA ✓ Nakahanda

Pagsanggunian na paghahambing

Parametro NDL46PFG-8KIT H5TC4G63AFR-PBA
Brand Insignis Technology Corporation SK hynix
Kategorya Memory ICs Memory ICs
Katayuan ng Lifecycle Aktibo Aktibo
Presyo ng Yunit (USD) — $3.98
Uri ng Memory SDRAM - DDR3L DDR3L SDRAM
Laki ng Memory 4Gbit (256M x 16) —
Width ng Data Bus 16 bit —
Clock Frequency 800 MHz —
Rate ng Data 1600 Mbps 1866 Mbps (PC3L-14900)
Latensya ng CAS 20 ns —
Volte ng Pagbibigay 1.35V (1.5V compatible) —
Temperature na Operasyon 95°C (max) —
Packhaging 96-FBGA (7.5x13.5 mm) 96-ball FBGA
Uri ng Pagpapasok Surface Mount —
Interface Parallel 16-bit I/O
Access Time 20 ns —
Burst Length 8 and 4 8 and 4 (with burst chop)
On-Die Termination Yes —
Refresh Mode Auto-refresh and self-refresh —
Tindminan RoHS Compliant —
Density — 4Gb
Organisasyon — 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V
Ball Pitch — 0.8mm
Number of Banks — 8
CAS Latency (CL) — 11, 12, 13
Hanay ng Temperature na Operasyon — 0°C to +95°C (Tcase)
On-Die Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Partial Array Self-Refresh — Yes
RoHS — Compliant

Mga Datasheets at Resources

Tingnan ang Lahat ng mga Produkto Lumikha ng BOM Hilingin ang Kita