NDL46PFG-8KIT vs H5TC4G63AFR-PBA 比較

詳細並排比較 NDL46PFG-8KIT 由 Insignis Technology Corporation 與 H5TC4G63AFR-PBA 由 SK hynix. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

Insignis Technology Corporation
NDL46PFG-8KIT NDL46PFG-8KIT - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Insignis

NDL46PFG-8KIT - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Insignis

NDL46PFG-8KIT ✓ 啟用中
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBA H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA ✓ 啟用中

規格比較

參數 NDL46PFG-8KIT H5TC4G63AFR-PBA
品牌 Insignis Technology Corporation SK hynix
類別 Memory ICs Memory ICs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
單價 (USD) — $3.98
記憶體類型 SDRAM - DDR3L DDR3L SDRAM
記憶體容量 4Gbit (256M x 16) —
資料匯流排寬度 16 bit —
Clock Frequency 800 MHz —
資料速率 1600 Mbps 1866 Mbps (PC3L-14900)
CAS 延遲 20 ns —
供應電壓 1.35V (1.5V compatible) —
工作溫度 95°C (max) —
封裝 96-FBGA (7.5x13.5 mm) 96-ball FBGA
安裝類型 Surface Mount —
介面 Parallel 16-bit I/O
Access Time 20 ns —
Burst Length 8 and 4 8 and 4 (with burst chop)
On-Die Termination Yes —
Refresh Mode Auto-refresh and self-refresh —
RoHS 狀態 Compliant —
Density — 4Gb
組織 — 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V
Ball Pitch — 0.8mm
Number of Banks — 8
CAS Latency (CL) — 11, 12, 13
工作溫度範圍 — 0°C to +95°C (Tcase)
On-Die Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Partial Array Self-Refresh — Yes
RoHS — Compliant

資料表與資源

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