NT5AD512M16A4-GZ vs K4A8G165WB-BCWE तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना NT5AD512M16A4-GZ द्वारा Nanya Technology और K4A8G165WB-BCWE द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | NT5AD512M16A4-GZ | K4A8G165WB-BCWE |
|---|---|---|
| ब्रांड | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| स्टॉक स्थिति | — | In Stock |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $6.25 |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| संगठन | 512M x 16 | — |
| Density | 8Gb | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2V | 1.2 V |
| अधिकतम क्लॉक फ़्रीक्वेंसी | 1200 MHz | — |
| डेटा बस चौड़ाई | 16 bits | — |
| पैकेज | TFBGA-96 | 96FBGA |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Interleaved Burst Length | 4, 8 | — |
| Access Mode | Four Bank Page Burst | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | Commercial and Industrial | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Write Leveling Function | Yes | — |
| ZQ Calibration Function | Yes | — |
| मेमोरी आकार | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| डेटा दर | — | 3200 Mbps/pin |
| Access Time | — | 19 ns |
| इंटरफ़ेस | — | Parallel |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | 0C to +85C |
| माउंटिंग प्रकार | — | Surface Mount |
| Memory Format | — | DRAM (volatile) |
| Technology | — | DDR4 SDRAM B-die |
| Prefetch | — | 8n |
| Refresh | — | Self-refresh supported |
| Termination | — | On-die termination (ODT) |
| RoHS स्थिति | — | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |