NT5AD512M16A4-GZ vs K4A8G165WB-BCWE موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از NT5AD512M16A4-GZ بذریعہ Nanya Technology اور K4A8G165WB-BCWE بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | NT5AD512M16A4-GZ | K4A8G165WB-BCWE |
|---|---|---|
| برانڈ | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| اسٹاک کی حالت | — | In Stock |
| فی یونٹ قیمت (USD) | — | $6.25 |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| تنظیم | 512M x 16 | — |
| Density | 8Gb | — |
| سپلائی وولٹیج | 1.2V | 1.2 V |
| زیادہ سے زیادہ کلاک فریکوئنسی | 1200 MHz | — |
| ڈیٹا بس چوڑائی | 16 bits | — |
| پیکیج | TFBGA-96 | 96FBGA |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Interleaved Burst Length | 4, 8 | — |
| Access Mode | Four Bank Page Burst | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | Commercial and Industrial | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Write Leveling Function | Yes | — |
| ZQ Calibration Function | Yes | — |
| میموری سائز | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| ڈیٹا ریٹ | — | 3200 Mbps/pin |
| Access Time | — | 19 ns |
| انٹرفیس | — | Parallel |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | 0C to +85C |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | — | Surface Mount |
| Memory Format | — | DRAM (volatile) |
| Technology | — | DDR4 SDRAM B-die |
| Prefetch | — | 8n |
| Refresh | — | Self-refresh supported |
| Termination | — | On-die termination (ODT) |
| RoHS اسٹیٹس | — | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] |
| MSL لیول | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |