NT5AD512M16C4-HR vs H5AN8G6NAFR-UHC तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना NT5AD512M16C4-HR द्वारा Nanya Technology और H5AN8G6NAFR-UHC द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Nanya Technology
NT5AD512M16C4-HR NT5AD512M16C4-HR - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-HR - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-HR ✓ सक्रिय
SK hynix
H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-UHC ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर NT5AD512M16C4-HR H5AN8G6NAFR-UHC
ब्रांड Nanya Technology SK hynix
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (CMOS)
संगठन 512M x 16 512M x 16
Density 8 Gbit —
सप्लाई वोल्टेज 1.2 V 1.2 V
डेटा दर 1.333 GHz (DDR4-2666) 2400 MT/s
ऑपरेटिंग तापमान 0°C to +95°C 0C to +85C
पैकेज FBGA-96 (TFBGA) 96-ball FBGA (TFBGA)
पिन की संख्या 96 —
Auto Self-Refresh Yes —
Built-in Temperature Sensor Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Yes DM function supported
Write Leveling Yes Write leveling function supported
Dynamic On-Chip Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC Function Yes —
RoHS Compliant —
Memory Density — 8 Gbit
Clock Architecture — Differential clock (CK_t / CK_c), fully synchronous
माउंटिंग प्रकार — Surface Mount
Refresh — Auto self-refresh
Precharge — Auto precharge function
Reset — Asynchronous reset function
Termination — Dynamic on-chip termination (ODT)
Calibration — ZQ calibration function
Error Checking — CRC function
RoHS स्थिति — [DATA_NEEDED: RoHS status]

डेटाशीट और संसाधन

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