NT5AD512M16C4-HR vs H5AN8G6NAFR-UHC Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci NT5AD512M16C4-HR disebabkan oleh Nanya Technology dan H5AN8G6NAFR-UHC disebabkan oleh SK hynix. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Nanya Technology
NT5AD512M16C4-HR NT5AD512M16C4-HR - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-HR - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-HR ✓ Aktif
SK hynix
H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-UHC ✓ Aktif

Pengandingan Spesifikasi

Parametr NT5AD512M16C4-HR H5AN8G6NAFR-UHC
Merek Nanya Technology SK hynix
Kategori Memory ICs Memory ICs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Jenis Ingatan DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (CMOS)
Organisasi 512M x 16 512M x 16
Density 8 Gbit —
Tegangan Pemberi Arus 1.2 V 1.2 V
Kadar Data 1.333 GHz (DDR4-2666) 2400 MT/s
Suhu Operasi 0°C to +95°C 0C to +85C
Kemasan FBGA-96 (TFBGA) 96-ball FBGA (TFBGA)
Bilangan Pin 96 —
Auto Self-Refresh Yes —
Built-in Temperature Sensor Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Yes DM function supported
Write Leveling Yes Write leveling function supported
Dynamic On-Chip Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC Function Yes —
RoHS Compliant —
Memory Density — 8 Gbit
Clock Architecture — Differential clock (CK_t / CK_c), fully synchronous
Jenis Pemasangan — Surface Mount
Refresh — Auto self-refresh
Precharge — Auto precharge function
Reset — Asynchronous reset function
Termination — Dynamic on-chip termination (ODT)
Calibration — ZQ calibration function
Error Checking — CRC function
Status RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS status]

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga