NT5AD512M16C4-HR vs H5AN8G6NAFR-UHC مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار NT5AD512M16C4-HR توسط Nanya Technology و H5AN8G6NAFR-UHC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Nanya Technology
NT5AD512M16C4-HR NT5AD512M16C4-HR - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-HR - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-HR ✓ فعال
SK hynix
H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-UHC ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر NT5AD512M16C4-HR H5AN8G6NAFR-UHC
برند Nanya Technology SK hynix
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (CMOS)
سازمان 512M x 16 512M x 16
Density 8 Gbit —
ولتاژ تغذیه 1.2 V 1.2 V
نرخ داده 1.333 GHz (DDR4-2666) 2400 MT/s
دمای کاری 0°C to +95°C 0C to +85C
بسته‌بندی FBGA-96 (TFBGA) 96-ball FBGA (TFBGA)
تعداد پین‌ها 96 —
Auto Self-Refresh Yes —
Built-in Temperature Sensor Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Yes DM function supported
Write Leveling Yes Write leveling function supported
Dynamic On-Chip Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC Function Yes —
RoHS Compliant —
Memory Density — 8 Gbit
Clock Architecture — Differential clock (CK_t / CK_c), fully synchronous
نوع نصب — Surface Mount
Refresh — Auto self-refresh
Precharge — Auto precharge function
Reset — Asynchronous reset function
Termination — Dynamic on-chip termination (ODT)
Calibration — ZQ calibration function
Error Checking — CRC function
وضعیت RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS status]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت