NT5CC256M16CP-DIA vs H5TC4G63AFR-PBA तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना NT5CC256M16CP-DIA द्वारा Nanya Technology और H5TC4G63AFR-PBA द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DIA NT5CC256M16CP-DIA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIA ✓ सक्रिय
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBA H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर NT5CC256M16CP-DIA H5TC4G63AFR-PBA
ब्रांड Nanya Technology SK hynix
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
यूनिट मूल्य (USD) — $3.98
मेमोरी प्रकार DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
मेमोरी आकार 4 Gbit (256M x 16) —
डेटा दर 1600 Mbps (800 MHz clock) 1866 Mbps (PC3L-14900)
सप्लाई वोल्टेज 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) —
पैकेज TFBGA-96 (9 x 13 mm, 0.8 mm pitch) 96-ball FBGA
Number of Banks 8 8
CAS Latency (CL) 11, 12, 13 11, 12, 13
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Access Time (tAC) 0.225 ns —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) 0°C to +95°C (Tcase)
RoHS Compliant Compliant
हैलोजन फ्री Yes —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount —
Differential Clock Input Yes (CK, CK#) —
On-Die Termination (ODT) Yes Yes
Density — 4Gb
संगठन — 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V
Ball Pitch — 0.8mm
Burst Length — 8 and 4 (with burst chop)
इंटरफ़ेस — 16-bit I/O
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Partial Array Self-Refresh — Yes

डेटाशीट और संसाधन

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