NT5CC256M16CP-DIA vs H5TC4G63AFR-PBA 比較

詳細並排比較 NT5CC256M16CP-DIA 由 Nanya Technology 與 H5TC4G63AFR-PBA 由 SK hynix. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DIA NT5CC256M16CP-DIA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIA ✓ 啟用中
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBA H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA ✓ 啟用中

規格比較

參數 NT5CC256M16CP-DIA H5TC4G63AFR-PBA
品牌 Nanya Technology SK hynix
類別 Memory ICs Memory ICs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
單價 (USD) — $3.98
記憶體類型 DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
記憶體容量 4 Gbit (256M x 16) —
資料速率 1600 Mbps (800 MHz clock) 1866 Mbps (PC3L-14900)
供應電壓 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) —
封裝 TFBGA-96 (9 x 13 mm, 0.8 mm pitch) 96-ball FBGA
Number of Banks 8 8
CAS Latency (CL) 11, 12, 13 11, 12, 13
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Access Time (tAC) 0.225 ns —
工作溫度範圍 -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) 0°C to +95°C (Tcase)
RoHS Compliant Compliant
無鹵素 Yes —
安裝類型 Surface Mount —
Differential Clock Input Yes (CK, CK#) —
On-Die Termination (ODT) Yes Yes
Density — 4Gb
組織 — 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V
Ball Pitch — 0.8mm
Burst Length — 8 and 4 (with burst chop)
介面 — 16-bit I/O
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Partial Array Self-Refresh — Yes

資料表與資源

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