NT5CC256M16CP-DIA vs H5TC4G63AFR-PBA So sánh

So sánh chi tiết song song của NT5CC256M16CP-DIA bằng Nanya Technology và H5TC4G63AFR-PBA bằng SK hynix. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DIA NT5CC256M16CP-DIA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIA ✓ Hoạt động
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBA H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số NT5CC256M16CP-DIA H5TC4G63AFR-PBA
Thương hiệu Nanya Technology SK hynix
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Giá đơn vị (USD) — $3,98
Kiểu bộ nhớ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Kích thước bộ nhớ 4 Gbit (256M x 16) —
Tốc độ dữ liệu 1600 Mbps (800 MHz clock) 1866 Mbps (PC3L-14900)
Điện áp cung cấp 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) —
Hộp TFBGA-96 (9 x 13 mm, 0.8 mm pitch) 96-ball FBGA
Number of Banks 8 8
CAS Latency (CL) 11, 12, 13 11, 12, 13
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Access Time (tAC) 0.225 ns —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) 0°C to +95°C (Tcase)
RoHS Compliant Compliant
Đông trùng haogen Yes —
Kiểu lắp đặt Surface Mount —
Differential Clock Input Yes (CK, CK#) —
On-Die Termination (ODT) Yes Yes
Density — 4Gb
Tổ chức — 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V
Ball Pitch — 0.8mm
Burst Length — 8 and 4 (with burst chop)
Giao diện — 16-bit I/O
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Partial Array Self-Refresh — Yes

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá