STW12NK95Z vs STW11NK90Z तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना STW12NK95Z द्वारा STMicroelectronics और STW11NK90Z द्वारा STMicroelectronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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STW12NK95Z STW12NK95Z - 950V 10A Zener SuperMESH MOSFET | STMicroelectronics

STW12NK95Z - 950V 10A Zener SuperMESH MOSFET | STMicroelectronics

STW12NK95Z ✓ सक्रिय
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STW11NK90Z STW11NK90Z - 900V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STW11NK90Z - 900V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STW11NK90Z ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर STW12NK95Z STW11NK90Z
ब्रांड STMicroelectronics STMicroelectronics
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Polarity N-Channel —
Drain-Source Breakdown Voltage (Vdss) 950 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 10 A —
On-Resistance (Rds on) Max 0.90 ohm —
On-Resistance (Rds on) Typ 0.69 ohm —
Power Dissipation (Pd) at Tc 230 W —
Technology SuperMESH (Zener-protected PowerMESH) —
Gate Protection Zener-protected gate oxide —
Avalanche Rating 100% avalanche tested —
dv/dt Capability Extremely high [DATA_NEEDED: dv/dt value] —
माउंटिंग प्रकार Through Hole Through Hole
पैकेज TO-247-3 TO-247
ऑपरेटिंग तापमान -55C to +150C (junction) —
Gate Charge Minimized [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Drain-Source Voltage (VDS) — 900 V
Continuous Drain Current (ID) at 25°C — 9.5 A
Continuous Drain Current (ID) at 100°C — 6 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 38 A
Gate-Source Voltage (VGS) — ±30 V
On-Resistance (RDS(on)) — 0.85 ohm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3 V to 5 V
Gate Charge (Qg) — 45 nC
Input Capacitance (Ciss) — 1900 pF
Output Capacitance (Coss) — 150 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 20 pF
Maximum Power Dissipation (PD) — 250 W
Operating Junction Temperature (Tj) — -55°C to +150°C

डेटाशीट और संसाधन

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