STW12NK95Z vs STW11NK90Z موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از STW12NK95Z بذریعہ STMicroelectronics اور STW11NK90Z بذریعہ STMicroelectronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

STMicroelectronics
STW12NK95Z STW12NK95Z - 950V 10A Zener SuperMESH MOSFET | STMicroelectronics

STW12NK95Z - 950V 10A Zener SuperMESH MOSFET | STMicroelectronics

STW12NK95Z ✓ فعال
STMicroelectronics
STW11NK90Z STW11NK90Z - 900V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STW11NK90Z - 900V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STW11NK90Z ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر STW12NK95Z STW11NK90Z
برانڈ STMicroelectronics STMicroelectronics
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity N-Channel —
Drain-Source Breakdown Voltage (Vdss) 950 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 10 A —
On-Resistance (Rds on) Max 0.90 ohm —
On-Resistance (Rds on) Typ 0.69 ohm —
Power Dissipation (Pd) at Tc 230 W —
Technology SuperMESH (Zener-protected PowerMESH) —
Gate Protection Zener-protected gate oxide —
Avalanche Rating 100% avalanche tested —
dv/dt Capability Extremely high [DATA_NEEDED: dv/dt value] —
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through Hole
پیکیج TO-247-3 TO-247
آپریٹنگ درجہ حرارت -55C to +150C (junction) —
Gate Charge Minimized [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Drain-Source Voltage (VDS) — 900 V
Continuous Drain Current (ID) at 25°C — 9.5 A
Continuous Drain Current (ID) at 100°C — 6 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 38 A
Gate-Source Voltage (VGS) — ±30 V
On-Resistance (RDS(on)) — 0.85 ohm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3 V to 5 V
Gate Charge (Qg) — 45 nC
Input Capacitance (Ciss) — 1900 pF
Output Capacitance (Coss) — 150 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 20 pF
Maximum Power Dissipation (PD) — 250 W
Operating Junction Temperature (Tj) — -55°C to +150°C

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں