TJ60S06M3LT6L1.NQ vs TJ60S06M3L तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना TJ60S06M3LT6L1.NQ द्वारा Toshiba और TJ60S06M3L द्वारा Toshiba. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Toshiba
TJ60S06M3L(T6L1,NQ - P-Ch -60V -60A 11.2mOhm DPAK+ MOSFET | Toshiba
TJ60S06M3LT6L1.NQ ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | TJ60S06M3LT6L1.NQ | TJ60S06M3L |
|---|---|---|
| ब्रांड | Toshiba | Toshiba |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Polarity | P-channel | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | -60 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | +10 V / -20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | -60 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 100 W | — |
| RDS(on) Max at VGS=-10V | 0.0112 ohm | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 7760 pF | 7760 pF (typ.) |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पैकेज | DPAK+ (TO-252) | DPAK+ (TO-252-3 surface-mount) |
| ऑपरेटिंग तापमान | -55C to +150C (Tj) | — |
| Technology | Toshiba U-MOS (silicon) | U-MOSVI (Trench MOSFET) |
| MSL स्तर | 1 (unlimited) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Automotive Qualified | Yes (per Toshiba product positioning) | — |
| Continuous Drain Current (ID) | — | -60 A (Tc) |
| Power Dissipation (PD) | — | 100 W (Tc) |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 11.2 mΩ (typ.) at VGS = -10 V |
| Gate-Source Threshold Voltage (Vth) | — | -3.0 V (typ.) at VDS = -1 mA |
| Drain Leakage Current (IDSS) | — | -10 µA (max) at VDS = -40 V |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | [DATA_NEEDED: -55C to +175C assumed, confirm via datasheet] |
| Lead-Free / RoHS | — | RoHS compliant |
| Automotive Grade | — | AEC-Q101 qualified (LJ suffix: TJ60S06M3L,LXHQ) |
| Manufacturer | — | Toshiba Electronic Devices & Storage |
| Cell Technology | — | Trench (enhancement mode) |