TJ60S06M3LT6L1.NQ vs TJ60S06M3L So sánh
So sánh chi tiết song song của TJ60S06M3LT6L1.NQ bằng Toshiba và TJ60S06M3L bằng Toshiba. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Toshiba
TJ60S06M3L(T6L1,NQ - P-Ch -60V -60A 11.2mOhm DPAK+ MOSFET | Toshiba
TJ60S06M3LT6L1.NQ ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | TJ60S06M3LT6L1.NQ | TJ60S06M3L |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Toshiba | Toshiba |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Polarity | P-channel | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | -60 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | +10 V / -20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | -60 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 100 W | — |
| RDS(on) Max at VGS=-10V | 0.0112 ohm | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 7760 pF | 7760 pF (typ.) |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Hộp | DPAK+ (TO-252) | DPAK+ (TO-252-3 surface-mount) |
| Nhiệt độ hoạt động | -55C to +150C (Tj) | — |
| Technology | Toshiba U-MOS (silicon) | U-MOSVI (Trench MOSFET) |
| Cấp MSL | 1 (unlimited) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | — |
| Automotive Qualified | Yes (per Toshiba product positioning) | — |
| Continuous Drain Current (ID) | — | -60 A (Tc) |
| Power Dissipation (PD) | — | 100 W (Tc) |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 11.2 mΩ (typ.) at VGS = -10 V |
| Gate-Source Threshold Voltage (Vth) | — | -3.0 V (typ.) at VDS = -1 mA |
| Drain Leakage Current (IDSS) | — | -10 µA (max) at VDS = -40 V |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | [DATA_NEEDED: -55C to +175C assumed, confirm via datasheet] |
| Lead-Free / RoHS | — | RoHS compliant |
| Automotive Grade | — | AEC-Q101 qualified (LJ suffix: TJ60S06M3L,LXHQ) |
| Manufacturer | — | Toshiba Electronic Devices & Storage |
| Cell Technology | — | Trench (enhancement mode) |