TJ60S06M3LT6L1.NQ vs TJ60S06M3L Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma TJ60S06M3LT6L1.NQ tarafından Toshiba ve TJ60S06M3L tarafından ToshibaAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Toshiba
TJ60S06M3L(T6L1,NQ - P-Ch -60V -60A 11.2mOhm DPAK+ MOSFET | Toshiba
TJ60S06M3LT6L1.NQ ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | TJ60S06M3LT6L1.NQ | TJ60S06M3L |
|---|---|---|
| Marka | Toshiba | Toshiba |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Polarity | P-channel | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | -60 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | +10 V / -20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | -60 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 100 W | — |
| RDS(on) Max at VGS=-10V | 0.0112 ohm | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 7760 pF | 7760 pF (typ.) |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Paket | DPAK+ (TO-252) | DPAK+ (TO-252-3 surface-mount) |
| İşletim Sıcaklığı | -55C to +150C (Tj) | — |
| Technology | Toshiba U-MOS (silicon) | U-MOSVI (Trench MOSFET) |
| MSL Seviyesi | 1 (unlimited) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| Automotive Qualified | Yes (per Toshiba product positioning) | — |
| Continuous Drain Current (ID) | — | -60 A (Tc) |
| Power Dissipation (PD) | — | 100 W (Tc) |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 11.2 mΩ (typ.) at VGS = -10 V |
| Gate-Source Threshold Voltage (Vth) | — | -3.0 V (typ.) at VDS = -1 mA |
| Drain Leakage Current (IDSS) | — | -10 µA (max) at VDS = -40 V |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | [DATA_NEEDED: -55C to +175C assumed, confirm via datasheet] |
| Lead-Free / RoHS | — | RoHS compliant |
| Automotive Grade | — | AEC-Q101 qualified (LJ suffix: TJ60S06M3L,LXHQ) |
| Manufacturer | — | Toshiba Electronic Devices & Storage |
| Cell Technology | — | Trench (enhancement mode) |