YZ48G08V-F9HPI-M vs H5AN8G6NDJR तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना YZ48G08V-F9HPI-M द्वारा Loongtion और H5AN8G6NDJR द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | YZ48G08V-F9HPI-M | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| ब्रांड | Loongtion | SK hynix |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| संगठन | 1G x 8 | 512M x 16 |
| डेटा दर | 3200 MT/s | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | 1.2 V |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -40°C to +85°C | — |
| Package Type | FBGA78 | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel | — |
| CAS लेटेंसी | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| Row Cycle Time (tRC) | [DATA_NEEDED: tRC] | — |
| Refresh Cycle Time (tRFC) | [DATA_NEEDED: tRFC] | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| REACH Status | Compliant | — |
| AEC-Q100 | Not Applicable | — |
| पैकेज | — | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| RoHS | — | Compliant |
| विशेषताएँ | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |