YZ48G08V-F9HPI-M vs H5AN8G6NDJR Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma YZ48G08V-F9HPI-M tarafından Loongtion ve H5AN8G6NDJR tarafından SK hynixAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Loongtion
YZ48G08V-F9HPI-M YZ48G08V-F9HPI-M - 8Gb DDR4 SDRAM, 3200 MT/s | Loongtion

YZ48G08V-F9HPI-M - 8Gb DDR4 SDRAM, 3200 MT/s | Loongtion

YZ48G08V-F9HPI-M ✓ Aktif
SK hynix
H5AN8G6NDJR H5AN8G6NDJR - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | SK hynix

H5AN8G6NDJR - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | SK hynix

H5AN8G6NDJR ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre YZ48G08V-F9HPI-M H5AN8G6NDJR
Marka Loongtion SK hynix
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
Organizasyon 1G x 8 512M x 16
Veri Hızı 3200 MT/s 3200 Mbps (DDR4-3200)
Besleme Gerilimi 1.2 V 1.2 V
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40°C to +85°C —
Package Type FBGA78 —
Montaj Türü Surface Mount —
Arayüz Parallel —
CAS Gecikme [DATA_NEEDED: CAS Latency] 22 cycles (at 3200 Mbps)
Row Cycle Time (tRC) [DATA_NEEDED: tRC] —
Refresh Cycle Time (tRFC) [DATA_NEEDED: tRFC] —
RoHS Durumu Compliant —
REACH Status Compliant —
AEC-Q100 Not Applicable —
Paket — 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm)
Number of Terminals — 96
Maximum Supply Voltage (Vsup) — 1.26 V
Maximum Operating Temperature — 85 °C
Burst Length — 8 (BL8), 4 (BC4)
Access Mode — Multi Bank Page Burst
JESD-30 Code — R-PBGA-B96
RoHS — Compliant
Özellikler — Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin