YZ48G08V-F9HPI-M vs H5AN8G6NDJR Ikinahambing

Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng YZ48G08V-F9HPI-M sa pamamagitan ng Loongtion at H5AN8G6NDJR sa pamamagitan ng SK hynix. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.

Loongtion
YZ48G08V-F9HPI-M YZ48G08V-F9HPI-M - 8Gb DDR4 SDRAM, 3200 MT/s | Loongtion

YZ48G08V-F9HPI-M - 8Gb DDR4 SDRAM, 3200 MT/s | Loongtion

YZ48G08V-F9HPI-M ✓ Nakahanda
SK hynix
H5AN8G6NDJR H5AN8G6NDJR - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | SK hynix

H5AN8G6NDJR - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | SK hynix

H5AN8G6NDJR ✓ Nakahanda

Pagsanggunian na paghahambing

Parametro YZ48G08V-F9HPI-M H5AN8G6NDJR
Brand Loongtion SK hynix
Kategorya Memory ICs Memory ICs
Katayuan ng Lifecycle Aktibo Aktibo
Uri ng Memory DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
Organisasyon 1G x 8 512M x 16
Rate ng Data 3200 MT/s 3200 Mbps (DDR4-3200)
Volte ng Pagbibigay 1.2 V 1.2 V
Hanay ng Temperature na Operasyon -40°C to +85°C —
Package Type FBGA78 —
Uri ng Pagpapasok Surface Mount —
Interface Parallel —
Latensya ng CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] 22 cycles (at 3200 Mbps)
Row Cycle Time (tRC) [DATA_NEEDED: tRC] —
Refresh Cycle Time (tRFC) [DATA_NEEDED: tRFC] —
Tindminan RoHS Compliant —
REACH Status Compliant —
AEC-Q100 Not Applicable —
Packhaging — 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm)
Number of Terminals — 96
Maximum Supply Voltage (Vsup) — 1.26 V
Maximum Operating Temperature — 85 °C
Burst Length — 8 (BL8), 4 (BC4)
Access Mode — Multi Bank Page Burst
JESD-30 Code — R-PBGA-B96
RoHS — Compliant
Mga Karakteristika — Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling

Mga Datasheets at Resources

Tingnan ang Lahat ng mga Produkto Lumikha ng BOM Hilingin ang Kita