IS43QR16512B-062AABL vs K4A8G165WB-BCWE 比較
詳細な並列比較: IS43QR16512B-062AABL メーカー: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc および K4A8G165WB-BCWE メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43QR16512B-062AABL - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ISSI
IS43QR16512B-062AABL ✓ 生産中
仕様比較
| パラメータ | IS43QR16512B-062AABL | K4A8G165WB-BCWE |
|---|---|---|
| ブランド | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $8.10 | $6.55 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| メモリサイズ | 8 Gbit | — |
| メモリ構成 | 512M x 16 | 512M x 16 |
| 電源電圧 | 1.2 V | 1.2 V |
| データレート | 3200 MT/s | 3200 Mbps |
| CASレイテンシ | 22-22-22 | — |
| tRCD | 19 ns | — |
| パッケージ | 96-TWBGA (7.5x13.5 mm) | 96FBGA |
| 動作温度 | 0°C to +95°C (case) | 0C to +85C |
| RoHS | Compliant | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| ピン数 | 96 | — |
| インターフェース | POD (Pseudo Open Drain) | Parallel |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| データバス幅 | 16 bit | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Access Time (CAS Latency) | — | 19 ns |
| Burst Length | — | 8 |
| Bank Group Architecture | — | Yes |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes, dynamic ODT with ZQ calibration |
| Functions | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask |
| RoHS ステータス | — | Compliant |
| Lead Free | — | Yes |