IS43QR16512B-062AABL vs K4A8G165WB-BCWE Comparación
Comparación detallada lado a lado de IS43QR16512B-062AABL por ISSI, Integrated Silicon Solution Inc y K4A8G165WB-BCWE por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43QR16512B-062AABL - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ISSI
IS43QR16512B-062AABL ✓ ActivoSamsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | IS43QR16512B-062AABL | K4A8G165WB-BCWE |
|---|---|---|
| Marca | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $8,10 | $6,55 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 8 Gbit | — |
| Organización de memoria | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.2 V |
| Velocidad de datos | 3200 MT/s | 3200 Mbps |
| Latencia CAS | 22-22-22 | — |
| tRCD | 19 ns | — |
| Encapsulado | 96-TWBGA (7.5x13.5 mm) | 96FBGA |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C (case) | 0C to +85C |
| RoHS | Compliant | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Número de pines | 96 | — |
| Interfaz | POD (Pseudo Open Drain) | Parallel |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Ancho del bus de datos | 16 bit | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Access Time (CAS Latency) | — | 19 ns |
| Burst Length | — | 8 |
| Bank Group Architecture | — | Yes |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes, dynamic ODT with ZQ calibration |
| Functions | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask |
| Estado RoHS | — | Compliant |
| Lead Free | — | Yes |