IS43QR16512B-062AABL vs K4A8G165WB-BCWE Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IS43QR16512B-062AABL par ISSI, Integrated Silicon Solution Inc et K4A8G165WB-BCWE par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43QR16512B-062AABL - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ISSI
IS43QR16512B-062AABL ✓ ActifSamsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IS43QR16512B-062AABL | K4A8G165WB-BCWE |
|---|---|---|
| Marque | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $8,10 | $6,55 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 8 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | 1.2 V |
| Débit de données | 3200 MT/s | 3200 Mbps |
| Latence CAS | 22-22-22 | — |
| tRCD | 19 ns | — |
| Boîtier | 96-TWBGA (7.5x13.5 mm) | 96FBGA |
| Température de fonctionnement | 0°C to +95°C (case) | 0C to +85C |
| RoHS | Compliant | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 96 | — |
| Interface | POD (Pseudo Open Drain) | Parallel |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Largeur du bus de données | 16 bit | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Access Time (CAS Latency) | — | 19 ns |
| Burst Length | — | 8 |
| Bank Group Architecture | — | Yes |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes, dynamic ODT with ZQ calibration |
| Functions | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Lead Free | — | Yes |