IS43QR16512B-062AABL vs K4A8G165WB-BCWE Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IS43QR16512B-062AABL por ISSI, Integrated Silicon Solution Inc e K4A8G165WB-BCWE por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43QR16512B-062AABL - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ISSI
IS43QR16512B-062AABL ✓ AtivoSamsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | IS43QR16512B-062AABL | K4A8G165WB-BCWE |
|---|---|---|
| Marca | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $8,10 | $6,55 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamanho da memória | 8 Gbit | — |
| Organização da memória | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Tensão de alimentação | 1.2 V | 1.2 V |
| Taxa de dados | 3200 MT/s | 3200 Mbps |
| Latência CAS | 22-22-22 | — |
| tRCD | 19 ns | — |
| Encapsulamento | 96-TWBGA (7.5x13.5 mm) | 96FBGA |
| Temperatura de operação | 0°C to +95°C (case) | 0C to +85C |
| RoHS | Compliant | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Número de pinos | 96 | — |
| Interface | POD (Pseudo Open Drain) | Parallel |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Largura do barramento de dados | 16 bit | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Access Time (CAS Latency) | — | 19 ns |
| Burst Length | — | 8 |
| Bank Group Architecture | — | Yes |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes, dynamic ODT with ZQ calibration |
| Functions | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask |
| Status RoHS | — | Compliant |
| Lead Free | — | Yes |