IS43QR16512B-062AABL vs K4A8G165WB-BCWE Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IS43QR16512B-062AABL от ISSI, Integrated Silicon Solution Inc и K4A8G165WB-BCWE от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43QR16512B-062AABL - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ISSI
IS43QR16512B-062AABL ✓ АктивенSamsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | IS43QR16512B-062AABL | K4A8G165WB-BCWE |
|---|---|---|
| Бренд | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $8,10 | $6,55 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Размер памяти | 8 Gbit | — |
| Организация памяти | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Напряжение питания | 1.2 V | 1.2 V |
| Скорость передачи данных | 3200 MT/s | 3200 Mbps |
| Задержка CAS | 22-22-22 | — |
| tRCD | 19 ns | — |
| Корпус | 96-TWBGA (7.5x13.5 mm) | 96FBGA |
| Рабочая температура | 0°C to +95°C (case) | 0C to +85C |
| RoHS | Compliant | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Количество выводов | 96 | — |
| Интерфейс | POD (Pseudo Open Drain) | Parallel |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Разрядность шины данных | 16 bit | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Access Time (CAS Latency) | — | 19 ns |
| Burst Length | — | 8 |
| Bank Group Architecture | — | Yes |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes, dynamic ODT with ZQ calibration |
| Functions | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask |
| Статус RoHS | — | Compliant |
| Lead Free | — | Yes |