IS43QR16512B-062AABL vs K4A8G165WB-BCWE Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von IS43QR16512B-062AABL von ISSI, Integrated Silicon Solution Inc und K4A8G165WB-BCWE von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43QR16512B-062AABL - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ISSI
IS43QR16512B-062AABL ✓ AktivSamsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | IS43QR16512B-062AABL | K4A8G165WB-BCWE |
|---|---|---|
| Marke | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $8,10 | $6,55 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speichergröße | 8 Gbit | — |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | 1.2 V |
| Datenrate | 3200 MT/s | 3200 Mbps |
| CAS-Latenz | 22-22-22 | — |
| tRCD | 19 ns | — |
| Gehäuse | 96-TWBGA (7.5x13.5 mm) | 96FBGA |
| Betriebstemperatur | 0°C to +95°C (case) | 0C to +85C |
| RoHS | Compliant | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Anzahl der Pins | 96 | — |
| Schnittstelle | POD (Pseudo Open Drain) | Parallel |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Datenbusbreite | 16 bit | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Access Time (CAS Latency) | — | 19 ns |
| Burst Length | — | 8 |
| Bank Group Architecture | — | Yes |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes, dynamic ODT with ZQ calibration |
| Functions | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask |
| RoHS-Status | — | Compliant |
| Lead Free | — | Yes |