IS43QR16512B-062AABL vs K4A8G165WB-BCWE 비교
다음의 상세 나란히 비교: IS43QR16512B-062AABL 제조: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 및 K4A8G165WB-BCWE 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43QR16512B-062AABL - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ISSI
IS43QR16512B-062AABL ✓ 활성
사양 비교
| 파라미터 | IS43QR16512B-062AABL | K4A8G165WB-BCWE |
|---|---|---|
| 브랜드 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $8.10 | $6.55 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 메모리 크기 | 8 Gbit | — |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | 512M x 16 |
| 공급 전압 | 1.2 V | 1.2 V |
| 데이터 속도 | 3200 MT/s | 3200 Mbps |
| CAS 레이턴시 | 22-22-22 | — |
| tRCD | 19 ns | — |
| 패키지 | 96-TWBGA (7.5x13.5 mm) | 96FBGA |
| 동작 온도 | 0°C to +95°C (case) | 0C to +85C |
| RoHS | Compliant | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 핀 수 | 96 | — |
| 인터페이스 | POD (Pseudo Open Drain) | Parallel |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| 데이터 버스 폭 | 16 bit | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Access Time (CAS Latency) | — | 19 ns |
| Burst Length | — | 8 |
| Bank Group Architecture | — | Yes |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes, dynamic ODT with ZQ calibration |
| Functions | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask |
| RoHS 상태 | — | Compliant |
| Lead Free | — | Yes |