2EDN7534RXTMA1 vs 1EDN7116GXTMA1 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci 2EDN7534RXTMA1 disebabkan oleh Infineon dan 1EDN7116GXTMA1 disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Pengandingan Spesifikasi

Parametr 2EDN7534RXTMA1 1EDN7116GXTMA1
Merek Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Fungsi Low-side gate driver Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs
Number of Channels 2 —
Peak Output Current (source/sink) 5 A / 5 A —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 20 V 4.5 V to 5.5 V
Propagation Delay (typ) 19 ns —
Input Logic Compatibility LV-TTL —
Input Voltage Tolerance -12 V to +22 V (absolute max) —
Konfigurasi Output Non-inverting —
Output Resistance (Ron) <1 ohm (typ) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes —
Suhu Operasi -40C to +125C —
Kemasan PG-TSSOP-8 PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Aras MSL 1 (unlimited) MSL3
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Driver Configuration — Non-inverting, single low-side
Number of Drivers — 1
Peak Source Current — 2 A (typ)
Peak Sink Current — 4 A (typ)
Input Type — Truly Differential Input (TDI)
Switch-Node Blocking Voltage — 200 V (max)
Propagation Delay (Typ) — 9 ns
Rise Time (Typ) — 3 ns
Fall Time (Typ) — 3 ns
Quiescent Current (Typ) — 0.6 mA
Miller Clamp — Integrated, active
UVLO — Yes (VCC and gate-rail monitored)
Gambaran Suhu Operasi — -40 °C to +125 °C
Target Switch Technology — GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga