2EDN7534RXTMA1 vs 1EDN7116GXTMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của 2EDN7534RXTMA1 bằng Infineon và 1EDN7116GXTMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
2EDN7534RXTMA1 - Dual 5A Low-Side Gate Driver | Infineon | PG-TSSOP-8
2EDN7534RXTMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
1EDN7116GXTMA1 - 200V Single-Channel GaN Gate Driver IC | Infineon
1EDN7116GXTMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | 2EDN7534RXTMA1 | 1EDN7116GXTMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Chức năng | Low-side gate driver | Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs |
| Number of Channels | 2 | — |
| Peak Output Current (source/sink) | 5 A / 5 A | — |
| Supply Voltage (VCC) | 4.5 V to 20 V | 4.5 V to 5.5 V |
| Propagation Delay (typ) | 19 ns | — |
| Input Logic Compatibility | LV-TTL | — |
| Input Voltage Tolerance | -12 V to +22 V (absolute max) | — |
| Cấu hình đầu ra | Non-inverting | — |
| Output Resistance (Ron) | <1 ohm (typ) | — |
| Under-Voltage Lockout (UVLO) | Yes | — |
| Nhiệt độ hoạt động | -40C to +125C | — |
| Hộp | PG-TSSOP-8 | PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Cấp MSL | 1 (unlimited) | MSL3 |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Driver Configuration | — | Non-inverting, single low-side |
| Number of Drivers | — | 1 |
| Peak Source Current | — | 2 A (typ) |
| Peak Sink Current | — | 4 A (typ) |
| Input Type | — | Truly Differential Input (TDI) |
| Switch-Node Blocking Voltage | — | 200 V (max) |
| Propagation Delay (Typ) | — | 9 ns |
| Rise Time (Typ) | — | 3 ns |
| Fall Time (Typ) | — | 3 ns |
| Quiescent Current (Typ) | — | 0.6 mA |
| Miller Clamp | — | Integrated, active |
| UVLO | — | Yes (VCC and gate-rail monitored) |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -40 °C to +125 °C |
| Target Switch Technology | — | GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET |