2EDN7534RXTMA1 vs 1EDN7116GXTMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار 2EDN7534RXTMA1 توسط Infineon و 1EDN7116GXTMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر 2EDN7534RXTMA1 1EDN7116GXTMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
عملکرد Low-side gate driver Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs
Number of Channels 2 —
Peak Output Current (source/sink) 5 A / 5 A —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 20 V 4.5 V to 5.5 V
Propagation Delay (typ) 19 ns —
Input Logic Compatibility LV-TTL —
Input Voltage Tolerance -12 V to +22 V (absolute max) —
پیکربندی خروجی Non-inverting —
Output Resistance (Ron) <1 ohm (typ) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes —
دمای کاری -40C to +125C —
بسته‌بندی PG-TSSOP-8 PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL 1 (unlimited) MSL3
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Driver Configuration — Non-inverting, single low-side
Number of Drivers — 1
Peak Source Current — 2 A (typ)
Peak Sink Current — 4 A (typ)
Input Type — Truly Differential Input (TDI)
Switch-Node Blocking Voltage — 200 V (max)
Propagation Delay (Typ) — 9 ns
Rise Time (Typ) — 3 ns
Fall Time (Typ) — 3 ns
Quiescent Current (Typ) — 0.6 mA
Miller Clamp — Integrated, active
UVLO — Yes (VCC and gate-rail monitored)
محدوده دمای کاری — -40 °C to +125 °C
Target Switch Technology — GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت