IPP100N12S305AKSA1 vs IPT015N10NF2SATMA1 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci IPP100N12S305AKSA1 disebabkan oleh Infineon dan IPT015N10NF2SATMA1 disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Pengandingan Spesifikasi

Parametr IPP100N12S305AKSA1 IPT015N10NF2SATMA1
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Jenis Transistor N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS trench OptiMOS trench, N-channel enhancement
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Arus Alir Gesa [DATA_NEEDED: pulsed ID value] —
Maximum Power Dissipation (Ptot) at Tc 300 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Avalanche Energy, Single Pulse [DATA_NEEDED: EAS] —
Suhu Hubungan Operasi -55 °C to +175 °C —
Kemasan TO-220 (PG-TO220-3-1) PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab)
Jenis Pemasangan Through Hole Surface Mount
Kiraan Pin 3 —
MSL Moisture Sensitivity Level 1 (260 °C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Avalanche Tested 100% tested —
RoHS Compliance Compliant (Green product) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 315 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 35 A
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 1.5 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th)) — 3.8 V at 267 µA
Total Power Dissipation (Ta) — 3.8 W
Total Power Dissipation (Tc) — 300 W
Gambaran Suhu Operasi — -55 °C to +175 °C
Gate Drive Voltage (typ) — 10 V
Tenaga Gesa tunggal padek — [DATA_NEEDED: EAS value]
Status RoHS — Compliant

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga