IPP100N12S305AKSA1 vs IPT015N10NF2SATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPP100N12S305AKSA1 توسط Infineon و IPT015N10NF2SATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IPT015N10NF2SATMA1 IPT015N10NF2SATMA1 - 100V 315A 1.5mΩ OptiMOS MOSFET | Infineon

IPT015N10NF2SATMA1 - 100V 315A 1.5mΩ OptiMOS MOSFET | Infineon

IPT015N10NF2SATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IPP100N12S305AKSA1 IPT015N10NF2SATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS trench OptiMOS trench, N-channel enhancement
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
جریان درین پالسی [DATA_NEEDED: pulsed ID value] —
Maximum Power Dissipation (Ptot) at Tc 300 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Avalanche Energy, Single Pulse [DATA_NEEDED: EAS] —
دمای اتصال کاری -55 °C to +175 °C —
بسته‌بندی TO-220 (PG-TO220-3-1) PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab)
نوع نصب Through Hole Surface Mount
تعداد پایه 3 —
MSL Moisture Sensitivity Level 1 (260 °C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Avalanche Tested 100% tested —
RoHS Compliance Compliant (Green product) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 315 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 35 A
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 1.5 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th)) — 3.8 V at 267 µA
Total Power Dissipation (Ta) — 3.8 W
Total Power Dissipation (Tc) — 300 W
محدوده دمای کاری — -55 °C to +175 °C
Gate Drive Voltage (typ) — 10 V
انرژی بهمنی تک‌پالس — [DATA_NEEDED: EAS value]
وضعیت RoHS — Compliant

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت